一种基于等离子体活化改性的12英寸晶圆选择性去膜再生方法

本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种基于等离子体活化改性的12英寸晶圆选择性去膜再生方法，旨在解决现有晶圆去膜工艺中存在选择性差、损伤风险高以及环保性问题。该方法包括对晶圆表面膜层进行等离子体活化处理，通过控制等离子体工艺参数实现膜层表面特性的精准调控，从而在后续处理中实现高选择性的膜层去除。本申请通过采用上述技术方案，能够实现对12英寸晶圆表面膜层的高精度选择性去除，有效降低了对基底材料的损伤风险，同时减少了化学试剂的使用，提高了工艺的环保性和经济性。