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기록
一种半导体封装方法、结构及其电子器件
발명알 수 없음
8청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
请求不公布姓名; 骆勇; 袁述; 郑文韬; 雷鸣
출원일
Aug 4, 2026
공개일
Oct 27, 2026
IPC 분류
H10W 72/00 (2026.01)H10W 72/20 (2026.01)
本发明提供一种半导体封装方法、结构及其电子器件,该方法包括:提供一基板本体,当基板本体为金属基板时,对金属基板进行刻蚀形成第一凹槽结构;在凹槽结构内填充固化焊料使芯片固定于第一凹槽结构上、且至少部分位于第一凹槽内,实现芯片在金属基板上的位移限制;当基板本体为陶瓷基板时,在陶瓷基板上沉积第一金属层;对第一金属层进行刻蚀形成第二凹槽结构;基于芯片的封装类型在第一金属层及第二凹槽结构上进行二次沉积,以使所形成的第二金属层上具有与第二凹槽结构相同的第三凹槽结构;在第三凹槽结构内填充固化焊料,以使芯片固定于第三凹槽结构上、且至少部分位于第三凹槽内,实现芯片在陶瓷基板上的位移限制。
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