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기록

에피택셜 결함들에 대해 감소된 성장 핵들을 갖는 실리콘 기판을 형성하기 위한 방법들 및 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 방법들

발명patent.status.granted
2조회수
§ Ⅰ

개요

발명자

발코쩨나, 피에트로; 포리니, 마리아; 두치니, 자누스치아

출원일

Dec 29, 2020

공개일

Dec 31, 2025

IPC 분류

C30B 15/20C30B 25/20C30B 29/6

CPC 분류

C30B15/203C30B25/20C30B29/6