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№ KR1029065000000B1
기록
에피택셜 결함들에 대해 감소된 성장 핵들을 갖는 실리콘 기판을 형성하기 위한 방법들 및 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 방법들
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발명
patent.status.granted
2
조회수
§ Ⅰ
개요
출원인
특허 출원인 기록
발명자
발코쩨나, 피에트로; 포리니, 마리아; 두치니, 자누스치아
출원일
Dec 29, 2020
공개일
Dec 31, 2025
IPC 분류
C30B 15/20
C30B 25/20
C30B 29/6
CPC 분류
C30B15/203
C30B25/20
C30B29/6
외부 자료
Google Patents
Espacenet