№ CN122995199A发明专利
未知具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件
本公开提供一种半导体元件,包括:栅极结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及通道区。栅极结构有中心部分及多个连接部分。自俯视观之,多个连接部分自中心部分突出。自俯视观之,第一源极/漏极区环绕栅极结构。第二源极/漏极区由栅极结构环绕。自截面观之,通道区在第一源极/漏极区下方,且自俯视观之,其环绕栅极结构。
❖鸿锦科技股份有限公司汤铭; 庄舒晴Oct 27, 2026§ 2/20 权利要求H10D 30/62 (2025.01), H10D 62/13 (2025.01), H10D 62/17 (2025.01)