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具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件
发明专利未知
20权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 30/62 (2025.01)H10D 62/13 (2025.01)H10D 62/17 (2025.01)
本公开提供一种半导体元件，包括：栅极结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及通道区。栅极结构有中心部分及多个连接部分。自俯视观之，多个连接部分自中心部分突出。自俯视观之，第一源极/漏极区环绕栅极结构。第二源极/漏极区由栅极结构环绕。自截面观之，通道区在第一源极/漏极区下方，且自俯视观之，其环绕栅极结构。
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