原始名称记载: 上海柯帆达材料科技有限公司

本发明属于光伏发电技术领域，且公开了一种光伏硅片扩散炉，包括底座，还包括：处理组件，所述处理组件设置于所述底座的顶部；注气组件，所述注气组件设置于所述处理组件的内部，用于向处理组件内注入反应气体。本发明通过分散管位于相邻两个硅片之间的中部，随着聚气腔体及固定管内的气压逐渐增大，单向阀受到压力处于打开状态，由于反应气体沿着相邻两个硅片之间流动，使反应气体能够均匀的与硅片表面接触，避免靠近进气口的区域气体浓度较高，而远离进气口的区域则浓度逐渐降低，保证硅片表面反应速率一致，进而避免引发薄膜厚度和掺杂均匀性的偏差，保证光伏硅片的转换效率与批次生产质量的稳定性。