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一种光伏硅片扩散炉

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

IPC 分类

C30B 31/16 (2006.01)C30B 31/14 (2006.01)H10F 71/00 (2025.01)

本发明属于光伏发电技术领域,且公开了一种光伏硅片扩散炉,包括底座,还包括:处理组件,所述处理组件设置于所述底座的顶部;注气组件,所述注气组件设置于所述处理组件的内部,用于向处理组件内注入反应气体。本发明通过分散管位于相邻两个硅片之间的中部,随着聚气腔体及固定管内的气压逐渐增大,单向阀受到压力处于打开状态,由于反应气体沿着相邻两个硅片之间流动,使反应气体能够均匀的与硅片表面接触,避免靠近进气口的区域气体浓度较高,而远离进气口的区域则浓度逐渐降低,保证硅片表面反应速率一致,进而避免引发薄膜厚度和掺杂均匀性的偏差,保证光伏硅片的转换效率与批次生产质量的稳定性。

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