一种钛硅分子筛/间位芳纶复合薄膜电介质材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种钛硅分子筛/间位芳纶复合薄膜电介质材料及其制备方法和应用,属于聚合物复合电介质储能薄膜制备技术领域。其制备方法包括:将PMIA短切纤维溶于含LiCl的极性溶剂,加入TS‑1分散,刮涂成膜,经水浸、热压退火制得。利用TS‑1表面钛羟基与PMIA酰胺基团形成强氢键构建物理交联网络,提升界面相容性与高温结构稳定性;同时界面能带失配形成高界面能垒,抑制电荷注入与输运,二者协同显著抑制高温漏电流,提升击穿强度与储能密度。本发明无需化学改性,工艺简单、成本低廉,与现有产线高度兼容,在高温薄膜电容器领域应用前景广阔。