信越化学工业株式会社

本发明涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明提供一种三氯硅烷的纯化技术，在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时，无需将大量的氯硅烷排出至体系外，并且也能够容易地进行反应控制。本发明中，为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易，在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此，在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离，无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果，三氯硅烷的制造效率提高，也不会产生多晶硅的收率降低的问题。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、感度高、对比度高，LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优异且即使在微细图案形成时仍耐图案崩塌、蚀刻耐性也优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、包含该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种下式(a)表示的锍盐型单体，式中，Z为具有芳香族乙烯基结构及碘原子的羧酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度且高对比度，且LWR、CDU、MEF、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐、含有该锍盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐，其以下式(1)表示。式中，Z为具有至少1个环状结构的芳香族磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度且高对比度，且LWR、CDU、MEF、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐、含有该锍盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐，以下式(1)表示。式中，Z为不具有聚合性基团的氟烷磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度、高对比度，且LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐型单体，其以下式(A)表示。式中，Z为具有聚合性基团的氟烷磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻，溶剂溶解性优良，为高感度、高对比度，LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是下式(A)表示的锍盐型单体。式中，Z是具有聚合性基团的芳香族磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，为高感度，分辨度优良，改善LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能，且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐、含有该锍盐作为淬灭剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐，以下式(1)表示。式中，Z为也可具有取代基的芳香族羧酸阴离子。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度、高对比度，且LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐型单体，以下式(A)表示。式中，Z为具有聚合性基团的氟烷磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度、高对比度，且LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐型单体，以下式(A)表示。式中，Z为具有聚合性基团的芳香族磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供：在使用高能射线的光学光刻中，为溶剂溶解性优异、高感度，又为高对比度，且LWR、CDU、MEF、EL、DOF等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的锍盐；包含该锍盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物；以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为下式(1)表示的锍盐。式中，Z为具有至少1个环状结构的芳香族磺酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能量射线的光学光刻中，为高感度，分辨度优良，改善LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能，且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐、含有该锍盐作为淬灭剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐，以下式(1)表示。式中，Z为也可具有取代基的芳香族羧酸阴离子。

本发明涉及锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良，为高感度、高对比度，且LWR、CDU、EL、DOF等光刻性能优良，而且即使在微细图案形成时，图案崩塌耐性强，蚀刻耐性亦优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的锍盐型单体、含有来自该锍盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种锍盐型单体，其以下式(a)表示。式中，Z为具有芳香族乙烯基结构及碘原子的羧酸阴离子。

本发明涉及锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供：在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、高感度，又高对比度，且LWR、CDU、MEF、EL、DOF等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的锍盐；包含该锍盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物；以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为下式(1)表示的锍盐。式中，Z为不具有聚合性基团的氟烷磺酸阴离子。

本发明提供一种无需如以往那样以与LSI相同的水平选择并使用溶媒，能够廉价地提供溶媒干燥后的膜面上的膜厚不均少且外观优异的大型的防护薄膜的大型防护薄膜用氟聚合物溶液、大型防护薄膜及大型防护膜。本发明提供一种大型防护薄膜用氟聚合物溶液、大型防护薄膜及大型防护膜，所述大型防护薄膜用氟聚合物溶液是面积为1000 cm以上的大型防护膜用的以氟聚合物为主成分的防护薄膜用聚合物溶液，在涂布并形成在基材上的聚合物溶液层的湿膜厚为30μm以上、干膜厚为2μm～10μm的聚合物溶液中，用作溶媒的主成分的纯度为80%以上，或者使用的溶媒的沸点范围在±30℃以内。

本发明提供一种防护膜，该防护膜即使在例如单色曝光光源下的光刻工序中，也可抑制伴随局部表面突起而产生的膜厚不均，从而能够较以往更均匀地使曝光光透过，该防护膜的特征在于，在所述防护膜的表面，满足条件(A)~(B)[条件(A)外接圆直径为5mm以上，条件(B)高度为2.5μm以上]中任一项以上的条件且由与所述防护膜相同的组合物形成的突起的个数为5个/m以下。