中国科学院微电子研究所

本说明书实施例提供了一种反射镜的EUV反射率检测装置及方法，其中，方法包括：确定参考光路和测量光路的光谱传递函数，计算参考光路和测量光路探测器接收到的全谱信号和带内信号；根据测量光路和参考光路各自的带内信号占比之比计算光谱修正因子C(θ)；根据所述光谱修正因子C(θ)计算待测反射镜的等效带内反射率R(θ)。

本申请公开了一种版图的光刻热点修复方法以及相关装置。在执行本申请实施例提供的方法时，首先可以获取掩膜图案中具有光刻热点的矢量缺陷版图，然后将其转换为符合目标格式的像素缺陷版图，并通过滑窗切片处理生成第一切片集合。接下来，利用预先构建的热点几何模板识别第一切片集合中的缺陷切片，并根据热点图像修复规则和缺陷切片的位置对像素缺陷版图进行热点修复和转换，最终得到矢量修复版图。本申请通过将矢量缺陷版图转换为像素图像，并进行滑窗切片处理，可以实现自动化识别和修复光刻热点，大大减少了人工干预和工作量。同时基于预先构建的热点几何模板和热点图像修复规则，可以快速准确地识别和修复缺陷切片，提高了修复效率和效果。

本发明公开了一种可读写脑机接口一体化系统及其控制方法，涉及脑机接口领域，该系统下PMUT阵列基于监测激励电压信号产生振动向目标脑区发射第一超声波，以实现对目标脑区血流特征信息的声学采集，接收第一超声回波产生振动而反馈第一电信号；基于调控激励电压信号产生振动发射第二超声波，以通过声学刺激调控目标脑区的神经活动；处理模块开启成像监测时输出监测激励电压信号并接收第一电信号，据此重建功能性超声血流图像并提取目标特征参数，开启调控干预时输出调控激励电压信号。该方案构建了声学监测‑声学调控的单一模态成像与调控一体化闭环系统，基于PMUT阵列实现对目标脑区成像监测与调控干预，系统成像与调控的精准度更高。

本申请提供了一种用于大语言模型推理的内存热管理方法及系统，可以应用于集成电路芯片热管理技术领域。该方法应用于逻辑芯片，逻辑芯片包括神经热控制器，神经热控制器为独立于图形处理单元主执行核心的专用硬件部件，包括：通过神经热控制器的状态聚合接口聚合状态向量；将状态向量作为强化学习策略网络的输入进行前向传播计算，生成一组离散控制动作各自对应的概率分布；根据概率分布从一组离散控制动作中选择目标控制动作；通过硬件中断向内存控制器发出目标控制动作对应的硬件命令，以改变大语言模型工作负载在三维堆叠动态随机存取存储器中的物理执行状态。

本申请提供了一种脉冲神经网络加速器及基于指令驱动的数据流调度方法，该加速器至少包括全局指令调度模块、脉冲卷积有限状态机模块、地址生成模块、双缓冲存储模块及处理单元阵列，其中：全局指令调度模块用于解析与分发微指令序列；脉冲卷积有限状态机模块基于微指令序列生成包含局部循环计数值的数据流控制信号；地址生成模块对批次间静态偏移量与批次内动态偏移量进行求和，得到数据读写地址；双缓冲存储模块根据该地址读取或存储脉冲数据；处理单元阵列用于根据数据流控制信号执行脉冲卷积计算。本申请通过将输出通道循环控制权从硬件剥离并交由编译器微指令定义，以极小片上存储资源支撑任意通道维度网络的高能效、低面积开销运行。

本发明涉及一种实现等离子体光刻多层结构的方法和系统，属于等离子体光刻技术领域，逐层执行以下过程得到多层结构：获取要制备的图形类型，图形类型为规则周期图形或一般二维图形；当采用固定输出波长，选用第一金属材质进行等离子体干涉光刻制备规则周期图形，选用第二金属材质进行等离子体成像光刻制备一般二维图形；当采用同一金属材质，采用第一输出波长进行等离子体干涉光刻制备规则周期图形，采用第二输出波长进行等离子体成像光刻制备一般二维图形；在晶圆表面制备掩膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影后获得对应图形；将对应图形转移至晶圆表面。解决了现有技术无法利用等离子体光刻实现多层结构集成电路的制备的问题。