东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司

本发明提供了一种光电探测器及其制备方法。光电探测器包括本征层、第一电极接触层、隔离层、多个第二电极接触层、下层电极、绝缘层和上层电极。第一电极接触层设置于本征层的第一表面；隔离层设置于本征层的第二表面，并将第二表面分隔出多个工作区；多个第二电极接触层分别设置在一个工作区内。并且隔离层表面形成有凹槽，并且凹槽的一侧壁上形成有连通一个第二电极接触层的通槽。下层电极沿凹槽设置，并且下层电极穿过通槽与第二电极接触层电连接；绝缘层设置于下层电极的表面；上层电极设置在绝缘层上，并且上层电极延伸至与另一侧的第二电极接触层电连接。本发明的光电探测器相较于现有的探测器极大程度地缩小了死区范围。

本发明提供了一种半导体量测设备定位误差的补偿方法及相关产品。补偿方法包括间隔地持续获取工件台的多个运动参数；将多个运动参数输入定位误差模型，由定位误差模型分析历次输入的多个运动参数，输出工件台当前位置的定位误差；基于定位误差模型输出的定位误差，对工件台进行运动补偿，直至移动至目标位置。本方法实现了实时、动态地补偿多个轴运动系统之耦合定位误差，提升了半导体量测设备的定位精度。