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光电探测器及其制备方法
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王知渊; 李昊; 孟庆浪
申请日
Jul 24, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H10F 39/10 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)H10F 77/00 (2025.01)H10F 30/22 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)
本发明提供了一种光电探测器及其制备方法。光电探测器包括本征层、第一电极接触层、隔离层、多个第二电极接触层、下层电极、绝缘层和上层电极。第一电极接触层设置于本征层的第一表面;隔离层设置于本征层的第二表面,并将第二表面分隔出多个工作区;多个第二电极接触层分别设置在一个工作区内。并且隔离层表面形成有凹槽,并且凹槽的一侧壁上形成有连通一个第二电极接触层的通槽。下层电极沿凹槽设置,并且下层电极穿过通槽与第二电极接触层电连接;绝缘层设置于下层电极的表面;上层电极设置在绝缘层上,并且上层电极延伸至与另一侧的第二电极接触层电连接。本发明的光电探测器相较于现有的探测器极大程度地缩小了死区范围。
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