原始名称记载: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. | CNIPA.AI

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№ EP4675017A1发明专利

SUBSTRATE FOR SIC SEMICONDUCTOR DEVICES, SIC BONDED SUBSTRATE, SIC POLYCRYSTAL SUBSTRATE, AND SIC POLYCRYSTAL SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

SUBSTRATE FOR SIC SEMICONDUCTOR DEVICES, SIC BONDED SUBSTRATE, SIC POLYCRYSTAL SUBSTRATE, AND SIC POLYCRYSTAL SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

❖SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.TAHARA, Daisuke; AOKI, KatsutoshiJan 6, 2026C30B, C30B, C30B +428