北京屹唐半导体科技股份有限公司

本公开实施例提供一种阀门装置及半导体设备，涉及半导体设备技术领域。阀门装置包括：外门；外门包括：外门壳、气囊及外门磁吸件，气囊及外门磁吸件安装至外门壳；内门，设置在外门朝向腔体的开口的一侧；内门包括内门板及内门磁吸件，内门磁吸件安装至内门板；其中，在气囊处于通气状态时，气囊产生推动力，以使内门克服外门磁吸件与内门磁吸件之间的磁吸作用，并沿朝向腔体的开口的方向推动内门，直至内门将腔体的开口关闭；在气囊内的压力低于预设压力时，在外门磁吸件与内门磁吸件的作用下，内门沿远离腔体的开口的方向运动直至与外门壳固定；驱动件，用于驱动外门及内门沿第一方向运动，第一方向垂直于内门相对于外门运动的方向。

本公开实施例提供一种半导体设备，涉及半导体制造技术领域。半导体设备，包括：工艺腔体，具有沿轴向相对的第一端和第二端；进气件，安装至工艺腔体的第一端；排气件，安装至工艺腔体的第二端；进气件包括：进气管，设置有相互独立的第一进气通道及第二进气通道；导流段，连接在进气管朝向工件处理空间的一端；导流段的至少部分沿工艺腔体的径向延伸；导流段内设置有与第二进气通道连通的导流通道；匀流板，连接在导流段朝向工件的一侧；匀流板具有第一区域以及第二区域；匀流板的第一区域与导流段形成与工件的中心区域对应的第一扩散腔；匀流板的第二区域与导流段围成与工件的边缘区域对应的第二扩散腔，且第二扩散腔与导流通道连通。

本公开实施例提供一种热处理腔室及热处理设备，其中，热处理腔室包括顶室、底室、设置于所述顶室中的上灯光源、设置于所述底室中的下灯光源，以及位于所述上灯光源和下灯光源之间且外围设有边缘反射板组的晶圆支撑结构，所述晶圆支撑结构为静态支撑件；所述腔室内还设有用于均衡晶圆中部与边缘之间过渡区域光强的楔形反射板组件；所述楔形反射板组件包括上楔型反射板和下楔型反射板；所述热处理腔室具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及相对设置的第三侧壁和第四侧壁；所述上楔型反射板安装于所述第一侧壁和第二侧壁，所述下楔型反射板安装于所述第三侧壁和第四侧壁。本公开实施例的技术方案可以提升整体光能利用率。

本公开实施例提供一种等离子体设备，涉及半导体设备技术领域。等离子体设备，包括：介质管，沿其轴向具有相对的第一端和第二端；进气盖板，位于介质管的第一端；内衬管，位于介质管的内侧，且与介质管之间具有第一间隙；内衬管包括沿介质管的轴向设置的多个环体；进气盖板设置有第一固定部；第一固定部与靠近第一端的环体配合，以将多个环体压紧；环形固定件，位于介质管的第二端；环形固定件具有固定件主体部及限位部，固定件主体部用于遮挡介质管与内衬管之间的第一间隙；限位部与固定件主体部连接，限位部与靠近第二端的环体配合；处理腔室，介质管的第二端插设至处理腔室的开口中，且处理腔室与环形固定件可拆卸连接。