原始名称记载: 江西山海纳微电子材料有限公司

本发明涉及一种纳米陶瓷靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。采用超高真空原子层沉积反应腔，以三甲基铟、四甲基锡和硝酸镧为前驱体，运用超声波研磨制备粒径的纳米粉体，辅以低温等离子体处理优化表面，再经冷等静压成型，并在氩气保护下分段烧结，制得结构式为InSnLaO的靶材。该方法利用ALD技术实现了精确掺杂，抑制氧空位和次相析出，加入烧结助剂，促进颗粒均匀结合。所得靶材具有高致密度、低电阻率及优异光学性能，满足高精度光学器件需求，同时降低能耗，具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种高致密纳米陶瓷靶材（InSnLaO）及其制备方法，包括超高真空原子层沉积纳米级ITO薄膜、超声波辅助研磨制备纳米粉体、等离子体表面处理、冷等静压成型及分段式热等静压烧结。所得靶材致密度≥99%、电阻率≤2×10Ω·cm，近红外透射率≥91%，具有优异光学和电学性能，适用于高端光学和光电子应用。