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一种高致密的陶瓷靶材及其制备方法
发明专利有效
9权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
孔伟华; 李俊涛
IPC 分类
C04B 35/01 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/645 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)
本发明公开了一种高致密纳米陶瓷靶材（InSnLaO）及其制备方法，包括超高真空原子层沉积纳米级ITO薄膜、超声波辅助研磨制备纳米粉体、等离子体表面处理、冷等静压成型及分段式热等静压烧结。所得靶材致密度≥99%、电阻率≤2×10Ω·cm，近红外透射率≥91%，具有优异光学和电学性能，适用于高端光学和光电子应用。
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