深圳市芯通电子科技有限公司

本发明涉及半导体器件制造及工艺数据处理技术领域，具体为一种低导通电阻的鳍结构MOS管制造方法。该方法采集鳍结构刻蚀、表面处理、源漏注入、退火、栅介质和接触形成工序的过程、中间表征及片上电性数据，按晶圆区域、器件位置和工序时序建立关联索引，构建导通电阻因果贡献链，将导通电阻分解为沟道电阻、源漏扩展区电阻、栅界面附加电阻和接触电阻贡献；依据预测区间确定主导超差因果路径，结合剩余工序可调范围生成跨工序补偿参数组合，并在阈值电压、漏电、栅介质可靠性和结区热预算约束下确定后续工艺路径。本发明可对前序不可逆偏差实施后序补偿，减少电阻贡献反向叠加，降低导通电阻及片内、批间离散性。