原始名称记载: 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司

本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种键合方法、复合衬底。键合方法包括：准备支撑衬底、供体衬底和辅助衬底；采用对位键合平台进行支撑衬底、供体衬底、辅助衬底之间的键合，最终形成由上至下依次为支撑衬底、供体衬底、辅助衬底的第二键合体。将辅助衬底从第二键合体上分离，形成复合衬底；以及对所述复合衬底的表面进行处理。所得复合衬底不存在边缘缺陷区，可提升使用面积。

本发明公开了一种倒角片源的表面处理方法，属于半导体技术领域。倒角片源的表面处理方法包括以下步骤S1、将供体衬底与支撑衬底键合形成第一键合体；S2、对所述第一键合体的边缘倒直角；S3、将加固环套设于所述第一键合体的外周壁，所述加固环与所述供体衬底的材质相同；S4、使所述加固环与所述第一键合体上表面齐平；S5、采用CMP设备同时对所述第一键合体和所述加固环进行抛光处理。本发明在CMP过程中避免晶圆的边缘发生塌边，提高晶圆之间键合的质量。

本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种供体衬底加工方法及复合衬底。其中供体衬底加工方法包括以下步骤：S1、对供体衬底的边缘进行第一次倒角并形成第一L型倒角；S2、对供体衬底的键合面进行抛光处理；S3、盖板连接于键合面，盖板的尺寸基于键合面的尺寸内缩预设距离，以使键合面未被盖板覆盖的部分形成待倒角区，待倒角区环设于键合面；S4、对供体衬底的边缘进行第二次倒角以去除待倒角区，并形成第二L型倒角，第二L型倒角对应形成键合层；S5、盖板和供体衬底分离，得到具有键合层的供体衬底。本发明实现了供体衬底的边缘整齐以及供体衬底的键合面的整体质量，且避免了第二次倒角引入的颗粒脏污对键合面的损伤。