原始名称记载: 浙江大学; 浙江大学宁波国际科创中心

本发明公开了一种基于石墨烯的可剥离GaO薄膜的制备及转移方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少双层石墨烯转移到AlO单晶衬底上；然后在AlO/石墨烯衬底上生长GaO薄膜；最后将GaO薄膜从AlO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与GaO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将GaO薄膜从AlO/石墨烯衬底上剥离，通过Ni应力层辅助可以实现无裂纹GaO薄膜的转移。本发明通过将至少双层石墨烯转移到AlO单晶衬底上，以石墨烯为牺牲层，成功剥离了GaO薄膜，可用于GaO基垂直结构器件的构建或柔性器件的制备。