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一种基于石墨烯的可剥离GaO薄膜的制备及转移方法
发明专利有效
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7权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
潘新花; 谢清松; 王耀; 叶志镇
IPC 分类
C30B 23/02 (2006.01)C30B 29/16 (2006.01)C30B 29/64 (2006.01)C30B 33/02 (2006.01)
本发明公开了一种基于石墨烯的可剥离GaO薄膜的制备及转移方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少双层石墨烯转移到AlO单晶衬底上；然后在AlO/石墨烯衬底上生长GaO薄膜；最后将GaO薄膜从AlO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与GaO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将GaO薄膜从AlO/石墨烯衬底上剥离，通过Ni应力层辅助可以实现无裂纹GaO薄膜的转移。本发明通过将至少双层石墨烯转移到AlO单晶衬底上，以石墨烯为牺牲层，成功剥离了GaO薄膜，可用于GaO基垂直结构器件的构建或柔性器件的制备。