复合铜膜、制备方法及电子设备

本发明公开了一种复合铜膜、制备方法及电子设备，其中复合铜膜，包括基材，以及至少形成于基材一侧的复合铜层，所述复合铜层顺次包括，以远离基层的方向观察：加硬层；打底层，厚度20‑50nm，通过多元合金反应溅射形成；功能层，为溅射形成的铜功能层，其厚度依据方阻要求而设置。本发明解决现有铜膜附着力低、环境可靠性差的问题，铜膜常温附着力达5B级，双85、水煮、盐雾环境下仍保持4B级以上，且柔韧性优异，适用于柔性电子、电磁屏蔽等领域。