返回搜索
档案
三维存储器器件及其形成方法
发明专利有效
9浏览
26权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
张明康
IPC 分类
H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)
在某些方面中,一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构和与第一半导体结构键合的第二半导体结构。第一半导体结构包括NAND存储器串的阵列、与NAND存储器串的阵列的源极端接触的半导体层、与半导体层对准的非导电层、以及非导电层中的接触结构。非导电层使接触结构与半导体层电绝缘。第二半导体结构包括晶体管。