三维存储器装置及其形成方法

公开了一种三维存储器装置及其形成方法。在某些方面，一种存储器装置包括堆叠结构、导电结构和接触结构。堆叠结构包括交替的多个第一层和多个第一电介质层。堆叠结构的第一部分中的多个第一层包括多个第二电介质层，并且与堆叠结构的第一部分相邻的第二部分中的多个第一层包括多个导电层。导电结构与多个导电层中的导电层位于同一层，并且连接到该导电层。导电结构的至少一部分位于堆叠结构的第一部分中。接触结构延伸穿过并且连接到导电结构的位于堆叠结构的第一部分中的至少一部分。