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半导体结构及其制造方法、存储系统
发明专利有效
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32权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
夏正亮; 周文斌; 李思晢
IPC 分类
H10B 43/27 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)H10B 43/50 (2023.01)
本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、位线和导电结构。第二堆叠结构沿第一方向位于第一堆叠结构的一侧。位线位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间且沿第二方向延伸。导电结构沿第一方向延伸并与位线连接。第一方向与第二方向相交。