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用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极
发明专利有效
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24权利要求 · 24 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
雪克·玛力卡勒强斯瓦密; 图尚辉
IPC 分类
H10D 64/27 (2025.01)H10D 30/65 (2025.01)
一种平面栅极晶体管器件,包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方,靠近导电栅电极的漏极接触侧,导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。
发明人
雪克·玛力卡勒强斯瓦密; 图尚辉
IPC 分类
一种平面栅极晶体管器件,包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方,靠近导电栅电极的漏极接触侧,导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。