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一种半导体器件模型的建模及其系统

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李维繁星; 盛道亮; 沈红星; 张德利; 李北印

申请日

Jun 30, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G06F 30/367 (2020.01)G06F 30/23 (2020.01)G06F 119/14 (2020.01)G06F 119/08 (2020.01)

本发明公开了一种半导体器件模型的建模方法及其系统,涉及半导体器件建模领域,包括,基于电学特性数据集,对不同工作区进行分区拟合,获取半导体器件的初始阈值电压温度映射表和初始分区系数矩阵;通过多物理场协同仿真,校准初始阈值电压温度映射表和初始分区系数矩阵,获取补偿阈值电压温度映射表和标定分区系数矩阵;采用分区计算逻辑构建半导体器件的行为模型,实时计算半导体器件的仿真电流,基于仿真电流验证并优化行为模型;封装半导体器件行为模型和补偿阈值电压映射表,生成半导体器件模型文件;本发明通过运用热电耦合机制优化半导体器件模型参数,提升动态温度场景中半导体器件模型的建模精度。

§ Ⅵ

专利附图

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