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一种含铜晶圆再生转化为无铜晶圆的处理工艺
发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘牛; 王晨; 韩五静; 肖飞
申请日
Aug 7, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10P 90/00 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 70/00 (2026.01)H10P 74/20 (2026.01)
本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种含铜晶圆再生转化为无铜晶圆的处理工艺,旨在解决现有技术中含铜污染晶圆处理效率低、再生利用率低的问题。该工艺包括:对含铜晶圆依次进行预处理、选择性去除铜层以及后处理,具体采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液相结合的分步处理方式实现铜的选择性去除,并通过集成式在线监测与反馈控制系统,对关键工艺参数进行实时采集与动态调节。该工艺在有效去除铜膜的同时保护晶圆基底材料的完整性,实现了含铜晶圆的再生利用,降低了晶圆报废率和生产成本。