安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司

本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种基于等离子体活化改性的12英寸晶圆选择性去膜再生方法，旨在解决现有晶圆去膜工艺中存在选择性差、损伤风险高以及环保性问题。该方法包括对晶圆表面膜层进行等离子体活化处理，通过控制等离子体工艺参数实现膜层表面特性的精准调控，从而在后续处理中实现高选择性的膜层去除。本申请通过采用上述技术方案，能够实现对12英寸晶圆表面膜层的高精度选择性去除，有效降低了对基底材料的损伤风险，同时减少了化学试剂的使用，提高了工艺的环保性和经济性。

本发明公开了一种多模监控硅片CMP抛光液含量的自动系统，包括监控模块、图像采集与处理单元及自动补液控制模块。监控模块含视觉监测单元和电导率监测单元，分别采集抛光液图像与电导率数据；图像采集与处理单元提取污染指数；自动补液控制模块基于污染指数和电导率数据决策补液，通过执行机构补充新液并排出等量旧液。本发明通过双模态协同监测与闭环调控，实现抛光液状态智能维持，延长更换周期至72小时，提升工艺稳定性66.7%，稼动率提升2.3倍，适用于半导体CMP加工。

本申请属于半导体制造领域，具体涉及一种晶圆再生中的边缘倒角工艺方法。本发明针对现有晶圆再生工艺中边缘倒角处理存在的角度控制精度差、表面质量不稳定等问题，提供了一种优化的边缘倒角工艺方法。该方法包括对再生晶圆边缘进行精确的磨削和抛光处理，通过控制倒角角度和表面粗糙度，优化边缘轮廓。本申请通过采用上述技术方案，能够实现再生晶圆边缘的高精度处理，显著提升边缘质量一致性，减少后续工艺中的颗粒污染和应力集中问题，有效提高再生晶圆的可靠性和良品率。

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种含铜晶圆再生转化为无铜晶圆的处理工艺，旨在解决现有技术中含铜污染晶圆处理效率低、再生利用率低的问题。该工艺包括：对含铜晶圆依次进行预处理、选择性去除铜层以及后处理，具体采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液相结合的分步处理方式实现铜的选择性去除，并通过集成式在线监测与反馈控制系统，对关键工艺参数进行实时采集与动态调节。该工艺在有效去除铜膜的同时保护晶圆基底材料的完整性，实现了含铜晶圆的再生利用，降低了晶圆报废率和生产成本。