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一种图形化掩模的制备方法
发明专利未知
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9权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
李维杰; 高平; 乔帮威; 曾鑫
申请日
Sep 3, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
G03F 1/68 (2012.01)
本发明公开了一种图形化掩模的制备方法,制备剥离图形膜层;在源基板的顶部从下至上依次设置剥离功能层和剥离硬掩模图形层。将剥离硬掩模图形层转印复制至目标基板,首先,将源基板上的剥离硬掩模图形层转移至第一临时基板的粘附层上;将第一临时基板上的剥离硬掩模图形层转印至第二临时基板的粘附层上;将第二临时基板上的剥离硬掩模图形层转印至目标基板上;此时剥离硬掩模图形层的图案与曝光掩模的图案一致。目标基板制备掩模图形;采用高功率等离子体刻蚀,将目标基板顶部裸露的金属层刻蚀去除;然后,清洗去除目标基板上的剥离硬掩模图形层。本发明具有工艺兼容性高的优点,可以实现批量化在目标基板上制备掩模图形,显著提高了工作效率,具有较好的实用性。
§ Ⅵ
专利附图
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