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一种三维锂硅合金负极、制备方法及其电池

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

赵玉峰; 张久俊; 朱星宝; 冯吴亮; 张颖; 樊珈宏

申请日

May 28, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H01M 4/134 (2010.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/40 (2006.01)H01M 4/1395 (2010.01)H01M 4/04 (2006.01)H01M 4/66 (2006.01)H01M 4/80 (2006.01)H01M 10/052 (2010.01)

本申请涉及一种三维锂硅合金负极、制备方法及其电池,三维锂硅合金负极包括;三维集流体和包覆于所述三维集流体至少一侧表面的复合活性层;所述复合活性层由内向外依次包括与所述三维集流体结合的硅层以及位于所述硅层外部的锂硅合金层;所述锂硅合金层的合金化度≥95%。本申请中的三维锂硅合金负极结构稳定,活性物质与集流体结合紧密,能有效抑制循环过程中的体积膨胀和锂枝晶生长,从而兼具高比容量、高首效和优异的循环稳定性。

§ Ⅵ

专利附图

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