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晶体管及其制造方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 10/01 (2025.01)H10D 10/00 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)
本发明提供一种晶体管及其制造方法，该晶体管包含衬底、外延层、氧化复合层和金属层。其中，外延层设置在衬底上，氧化复合层设置在外延层上，并且依序具有氧化底层和氧化上层。氧化底层的侧缘具有三角结构，氧化上层的侧缘具有倾斜结构，且倾斜结构与水平面间的夹角小于90°，使得金属层完全覆盖氧化复合层而无空隙。