台亚半导体股份有限公司

本发明提供一种晶体管及其制造方法，该晶体管包含衬底、外延层、氧化复合层和金属层。其中，外延层设置在衬底上，氧化复合层设置在外延层上，并且依序具有氧化底层和氧化上层。氧化底层的侧缘具有三角结构，氧化上层的侧缘具有倾斜结构，且倾斜结构与水平面间的夹角小于90°，使得金属层完全覆盖氧化复合层而无空隙。

本发明提供了一种倒装发光二极管及其制造方法，所述倒装发光二极管的制造方法包括以下步骤：提供第一基底；执行外延工艺以在第一基底上形成半导体结构，且半导体结构包括形成接合侧且限定第一电极投影区域和第二电极投影区域的电流传输层；执行蚀刻工艺以在接合侧形成至少一个凹槽；执行填充工艺以填充透明材料到至少一个凹槽内以改变接合侧的电流传输路径；执行接合工艺以将第二基底接合在接合侧上；以及移除第一基底并在半导体结构的与第一基底相邻的一侧形成第一电极和第二电极。第一电极的位置与第一电极投影区域对应，且第二电极的位置与第二电极投影区域对应。

本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包含一导电衬底、一透明导电层及一外延复合层。其中，透明导电层具有多个导电栓，设置于导电衬底上。外延复合层具有一发光层、一第一导电型原位掺杂(In‑situ Doped)外延底层，设置于透明导电层上。其中，第一导电型原位掺杂外延底层具有一第二导电型局部扩散区，设置于第一导电型原位掺杂外延底层中且与所述导电栓接触，使流经发光层的电流实质地直接经第二导电型局部扩散区流入所述导电栓。