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倒装发光二极管及其制造方法
发明专利未知
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11权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10H 20/01 (2025.01)H10H 20/81 (2025.01)H10H 20/816 (2025.01)H10H 20/83 (2025.01)
本发明提供了一种倒装发光二极管及其制造方法,所述倒装发光二极管的制造方法包括以下步骤:提供第一基底;执行外延工艺以在第一基底上形成半导体结构,且半导体结构包括形成接合侧且限定第一电极投影区域和第二电极投影区域的电流传输层;执行蚀刻工艺以在接合侧形成至少一个凹槽;执行填充工艺以填充透明材料到至少一个凹槽内以改变接合侧的电流传输路径;执行接合工艺以将第二基底接合在接合侧上;以及移除第一基底并在半导体结构的与第一基底相邻的一侧形成第一电极和第二电极。第一电极的位置与第一电极投影区域对应,且第二电极的位置与第二电极投影区域对应。
§ Ⅵ
专利附图
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