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一种碳化硅-金属复合材料导电环的制备工艺
发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
B22F 5/10 (2006.01)B22F 3/02 (2006.01)B22F 3/10 (2006.01)B22F 3/14 (2006.01)B22F 3/24 (2006.01)C22F 1/08 (2006.01)C21D 9/40 (2006.01)C23C 18/36 (2006.01)C23C 18/18 (2006.01)B22F 1/18 (2022.01)
本发明属于金属基复合材料技术领域,具体涉及一种碳化硅‑金属复合材料导电环的制备工艺,将电解铜粉、低钯活化镍磷包覆碳化硅微粉和硬脂酸锌混合过筛,经模压成型、保护气氛脱脂、真空热压烧结、保压降温、退火处理及精密磨削抛光,得到碳化硅金属复合材料导电环。所述低钯活化镍磷包覆碳化硅微粉通过绿碳化硅微粉清洗、氯化亚锡敏化、氯化钯活化以及化学镀镍磷制得。镍磷包覆层能够改善碳化硅微粉与铜基体之间的界面结合,减少颗粒团聚和界面孔隙,促进复合材料烧结致密化,同时降低碳化硅对铜连续导电网络的不利影响。本发明工艺简单,原料易得,制得的导电环兼具良好的导电性、耐磨性、结构致密性和尺寸稳定性,适用于旋转导电连接部件。
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