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可见光近红外超表面单元分区曝光控制方法

发明专利未知
10权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

房磊; 叶志霖; 常月欣; 汤济

申请日

Aug 26, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

G03F 7/20 (2006.01)

本公开提供一种可见光近红外超表面单元分区曝光控制方法,包括:按照工作波长状态与偏振状态将超表面单元的目标复响应绑定至单元位置,得到响应约束集;由响应约束集反演得到几何目标图与几何容差图;将几何目标图与几何容差图输入曝光传递模型,得到局部灵敏度图与邻域耦合矩阵;由局部灵敏度图与邻域耦合矩阵划分得到分区索引图与边界耦合集;由分区索引图、边界耦合集、几何目标图与几何容差图求解得到分区曝光参数、预测几何轮廓、双域残差、收敛曝光参数、曝光执行序列;由曝光设备的执行值与曝光执行序列之差得到曝光执行偏差;以曝光执行偏差修正未曝光分区的曝光执行序列,得到可见光近红外超表面图形。

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