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本公开提供了一种转接板及其形成方法，所述转接板的形成方法包括：提供玻璃基板；在所述玻璃基板中形成多个第一通孔；所述多个第一通孔均从所述玻璃基板的顶面沿第一方向延伸至所述玻璃基板中；所述第一方向为所述玻璃基板的厚度方向；形成填充所述多个第一通孔并覆盖所述玻璃基板的顶面的半导体层；通过阳极键合工艺在所述半导体层与所述玻璃基板之间形成键合层；在填充所述第一通孔的半导体层中形成导电结构；所述导电结构从所述半导体层的顶面沿所述第一方向延伸至所述半导体层中。

本公开实施例提供了一种复合薄膜制备装置及其制备方法，其中，复合薄膜制备装置包括：反应腔室，包括环状侧壁以及位于环状侧壁相对两端的顶部和底部；承载装置，位于反应腔室内，承载装置的顶面用于承载基底结构；旋转装置，位于反应腔室内且与承载装置的底面固定连接，旋转装置能够带动承载装置相对于反应腔室转动；隔离装置，位于反应腔室内且位于承载装置的相对两侧中远离旋转装置的一侧；隔离装置将承载装置远离旋转装置的一侧区域分隔成多个独立的沉积区域；其中，通过在不同的沉积区域中设置不同的反应源，并通过控制旋转装置带动基底结构转动，以在基底结构的表面沉积多层交替堆叠的复合薄膜。

本公开实施例提供一种电容结构和电容结构的容值调节方法。其中，上述电容结构包括：n个导电结构，n个导电结构沿第一方向堆叠设置，每个导电结构均包括沿第二方向排布的第一导电图案和第二导电图案，每个导电结构中的第一导电图案和第二导电图案形成叉指结构；其中，沿第一方向相邻设置的两个导电结构中的两个第一导电图案至少部分重叠，沿第一方向相邻设置的两个导电结构中的两个第二导电图案至少部分重叠；第一方向和第二方向相互垂直，n为大于1的整数。

本公开实施例提供一种晶圆键合结构及其制造方法。晶圆键合结构包括：第一基板；位于所述第一基板表面的具有至少一个凹槽的键合层；其中所述键合层由3D打印形成；所述凹槽内壁依次附着有粘附层和种子层；附着有所述粘附层和所述种子层的所述凹槽内填充有金属材料；所述金属材料的键合面用于在所述第一基板与第二基板键合后连接所述第二基板的键合面。