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本公开的实施例涉及一种形成含镓膜的方法，该方法在其上形成有金属膜、硅（Si）膜、硅氧化物（SiO）膜和硅氮化物（SiN）膜中的至少一者的基板上形成含镓膜。该方法可以包括如下步骤：准备基板；向基板上喷洒含镓（Ga）源气体；以及向基板上喷洒含氮（N）反应气体，从而在基板的硅膜和/或硅氮化物膜上形成第一镓氮化物（GaN）膜。因此，根据本公开的实施例，可以容易形成镓氮化物膜或镓氧化物膜。也就是说，镓氮化物膜或镓氧化物膜可以在硅（Si）基板上于一个方向上生长。因此，可以形成抑制了缺陷的发生的镓氮化物膜或镓氧化物膜，使得应用了镓氮化物膜或镓氧化物膜的半导体装置的特性得以改善。

根据本公开的实施例的形成半导体装置的电极的方法包括如下步骤：进行n次包括喷射含钌前体的步骤的钌层形成循环以在基板上形成钌层；以及进行m次包括喷射含金属前体步骤的金属层形成循环以在钌层上形成金属层，其中，依次进行钌层形成循环和金属层形成循环，或依次进行并重复两次以上钌层形成循环和金属层形成循环。因此，根据本公开的实施例，在形成包括钌层和铜层的电极时，可以改善钌层和铜层之间的粘附力。因此，可以抑制或防止铜层从钌层剥离或分离。因此，可以降低电极的比电阻，并且改善导电性。

公开了一种电极形成方法，用于在基板上形成包含铜和钌的电极，包括：通过使用含钌前驱体进行钌层形成循环N次（N为自然数）来形成钌层，以及通过使用含铜前驱体进行铜层形成循环M次（M为自然数）来在钌层上形成铜层。

本发明提供一种在基板上形成镓氮氧化物（GaON）层的方法，该方法包括如下步骤：喷射含镓（Ga）的源材料；通过喷射含氮的第一反应材料来形成镓氮化物层；以及向镓氮化物层上喷射含氧的第二反应材料。