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Original name record: 长鑫存储技术有限公司

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№ CN121398016AInvention
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半导体结构

本公开实施例涉及一种半导体结构。包括：第一基底，所述第一基底的第一表面形成有第一存储结构；第二基底，所述第二基底的第一表面形成有第一控制结构，所述第二基底的第二表面为所述第二基底的第一表面的相对面；所述第一基底键合于所述第二基底的第一表面侧，所述第一存储结构和所述第一控制结构电连接；第一引出结构，用于将所述第一控制结构引出到所述第二基底的所述第二表面。本公开的半导体结构，提高了存储器件的存储密度。

❖长鑫存储技术有限公司郭帅§ 1/10 ClaimsH10B 41/41 (2023.01), H10B 41/50 (2023.01), H10B 41/27 (2023.01) +59