Original name record: 长电微电子（江阴）有限公司

本发明涉及一种封装器件及其制造方法。所述封装器件包括：转接板，包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；第一芯片，贴装于所述转接板的所述第一主面上且与所述转接板电连接；桥接结构，连接于所述转接板的所述第一主面上；第二芯片，贴装于所述桥接结构背离所述转接板的表面上且与所述转接板电连接，所述第一芯片背离所述转接板的表面与所述第二芯片背离所述转接板的表面齐平。本发明不仅确保了封装器件的顶面的平整性，还减薄了第二芯片的厚度，提高了第二芯片的散热性能。

本发明提供一种封装结构及其形成方法，在所述封装结构中，所述桥接芯片的背面与所述底部重布线层的正面通过第一键合结构连接，所述第一键合结构为有机与无机混合键合结构或者有机混合键合结构，和/或所述桥接芯片的正面与所述顶部重布线层的背面通过第二键合结构连接，所述第二键合结构为有机混合键合结构，所述桥接芯片无需与底部重布线层或者顶部重布线层通过焊锡连接，则不存在因焊接点的缺陷，例如空洞或者裂痕，而导致的封装结构的可靠性问题，本发明封装结构具有良好的可靠性。

本发明提供一种封装结构及其形成方法，所述布线插入层中的所述桥接芯片与所述芯片封装组件通过第一有机互连层以及第二有机互连层键合连接，第一有机互连层以及第二有机互连层键合形成有机混合键合结构，所述桥接芯片无需与所述芯片封装组件通过焊锡连接，则不存在因焊接点的缺陷(空洞或者裂痕)而导致的封装结构的可靠性问题，本发明提供的封装结构具有良好的可靠性，且能够提升所述桥接芯片与所述芯片封装组件中器件的互联密度，做到更密集的I/O互联，提高传输密度和减少延迟。