成都奕成集成电路有限公司

本申请提供一种芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备，首先，提供预先制作的封装板，封装板的焊接凸点与相对于封装层的表面凸出的导电柱和桥接芯片的芯片引脚连接，缓冲层位于封装层的第一侧，焊接凸点在封装层上的正投影位于缓冲层在封装层上的正投影之外。接着，提供一玻璃基板。再接着，将封装板设置有缓冲层的一侧与玻璃基板设置有连接点的一侧连接。然后，在封装板远离玻璃基板的一侧设置走线层。最后，在走线层远离玻璃基板的一侧设置至少一个芯片，并制作围绕芯片的塑封层，得到芯片封装结构。如此，上述方案先单独制作封装板，再将封装板与玻璃基板键合，能够降低玻璃基板出现翘曲变形的风险，保证芯片封装结构的产品良率。

本发明公开了一种玻璃芯板制造方法，采用自下而上的单向电镀方式填充玻璃通孔，铜层从孔底向孔口定向生长，从工艺根源上避免了孔内孔洞缺陷；同时孔内无PVD种子层，填充铜与玻璃孔壁无直接粘连，可释放热失配应力，大幅降低玻璃孔壁开裂风险，提升产品长期可靠性。本发明以铜箔替代传统PVD工艺作为电镀导电基底，省去了两次高腔PVD种子层沉积工序，减少了昂贵设备的使用与对应的制程成本。本发明通过单次bottom‑up电镀工序，同步完成TGV通孔填铜与TMV微铜柱的制备，无需拆分两道独立电镀工序，大幅压缩了工艺流程长度，缩短生产周期，提升量产效率。

本申请提供一种封装结构的制作方法、封装结构及电子设备，涉及半导体技术领域，所述方法包括：提供第一基板和第二基板，第一基板包括相对设置的第一表面及第二表面，第二基板包括相对设置的第三表面及第四表面；在第一基板的第一表面形成多个间隔设置的第一盲孔，在第二基板的第三表面形成多个间隔设置的第二盲孔；在第一盲孔内形成第一导电柱；在第二盲孔内形成第二导电柱；对第一基板的第二表面进行抛光处理，暴露出第一导电柱；对第二基板的第四表面进行抛光处理，暴露出第二导电柱；将第一基板和第二基板键合，使第一导电柱与第二导电柱电连接，如此，可以降低导电柱填充难度、减少填充缺陷，提升封装结构的可靠性。

本发明公开了一种将双面凸点的光子集成电路嵌入玻璃基板的方法，包括先制作带有至少两个玻璃空腔的且带有玻璃通孔的玻璃基板；在玻璃基板背面贴合第一味之素积层薄膜；将带有双面凸点的光子集成电路以及桥接芯片分别嵌在两个玻璃空腔内；制作在玻璃基板的侧边与光子集成电路的侧边之间耦合的光波导；在玻璃基板正面贴合第二味之素积层薄膜，并且在玻璃基板的两面钻孔露出光子集成电路、桥接芯片的双面凸点及玻璃通孔。本发明将双面Bump的PIC嵌在玻璃空腔内，侧边连接光波导，再通过RDL与EIC以及ASIC实现信号互连，通过玻璃基板电信号损失小，并且节约空间、缩短互连距离、提升信号交换速度。

本发明公开了一种基于双面凸点的电子集成电路及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，包括：重布线层，重布线层上设有TMV铜柱，TMV铜柱底部与重布线层电连接；芯片组，芯片组包括电芯片、光芯片，电芯片的正面和反面均设有凸点，电芯片嵌埋在TMV铜柱中，电芯片正面的凸点与重布线层电连接，电芯片、TMV铜柱经过塑封后形成塑封结构，光芯片外置于塑封结构的顶面并位于电芯片的上方，光芯片通过混合键合工艺与电芯片反面的凸点电连接。本发明提高了信号传输质量，节约了空间，缩短了互连距离，提升了信号交换速度。