이름 기준 검색 결과이며 법적 주체의 동일성을 확인한 것이 아닙니다. 동명인·조직, 별칭 및 이전 이름을 자동 통합하지 않습니다.

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색인된 특허 기록 1건

특허 건수는 이 사이트에 수록된 중복 없는 특허 기록 수이며 출원인의 전체 특허 수가 아닙니다. 공동 명의 문자열은 단일 기업을 뜻하지 않습니다.

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本发明公开了一种存储器元件的制造方法，包含在一基底上形成两叠层结构，该叠层结构包含浮栅、控制栅以及硬掩模、在该两叠层结构之间与外侧形成一多晶硅层、以及进行一光刻制作工艺图案化该两硬掩模以及该多晶硅层，如此在每一该硬掩模中形成一接触开口露出该控制栅，而该两叠层结构外侧的该多晶硅层被转变为两字线。