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本发明提供了一种提高刻蚀产能的方法及刻蚀系统，属于半导体生产技术领域，提高刻蚀产能的方法包括：根据基板的总刻蚀时长T，设定所述基板的刻蚀次数k和所述基板的单次刻蚀时长，其中，T=；先将多个所述基板送入一冷却腔室，再择一送入刻蚀腔室进行刻蚀，在刻蚀时长达到所述单次刻蚀时长后，将所述基板送回所述冷却腔室，并将另一所述基板送入所述刻蚀腔室进行刻蚀，同时对所述冷却腔室进行冷却，依此步骤直至全部的所述基板均达到所述总刻蚀时长T。本申请既避免了在刻蚀腔室内增设冷却装置导致的成本增加，又能够很好地控制基板的温度，可以提高基板的生产效率。

本申请公开了一种基板污染检测方法及镀膜系统，属于半导体生产技术领域，方法包括：提供工艺设备，所述工艺设备包括镀膜腔室和连接所述镀膜腔室的进片室；将基板送入所述进片室；对所述进片室抽真空至预设压力值，获取抽真空时间；在所述抽真空时间符合设定时长的情况下，将所述基板送入所述镀膜腔室，在所述抽真空时间不符合所述设定时长的情况下，将所述基板送出所述工艺设备。以抽真空时间作为判断基板是否携带湿气的依据，在抽真空时间符合设定时长时将基板送入镀膜腔室，在不符合时将基板送出工艺设备。能够在基板进入镀膜腔室之前即完成湿气筛查，有效避免了携带湿气的基板进入镀膜腔室，实现了对污染源基板的精准拦截与追溯。

本发明提供了一种磁控溅射阴极及磁控溅射镀膜设备，磁控溅射阴极包括：座体；第一磁体，安装于所述座体，所述第一磁体的磁极沿所述座体的轴向分布；第二磁体，安装于所述座体并套设在所述第一磁体的外部，所述第一磁体的磁极沿所述座体的径向分布；第三磁体，安装于所述座体并套设在所述第二磁体的外部，所述第三磁体的磁极沿所述轴向分布。该磁控溅射阴极有利于提高靶材的利用率和磁控溅射镀膜效率。