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本发明公开了一种电子级双（二乙氨基）硅烷的制备工艺，涉及化工合成技术领域。本发明电子级双（二乙氨基）硅烷的制备工艺至少包括以下制备步骤：将甲硅烷经低温吸附塔脱水，获得脱水甲硅烷，将二乙胺经分子筛膜分离重组分，获得纯化二乙胺；将所述脱水甲硅烷和所述纯化二乙胺在钯负载催化剂下反应，获得粗制双（二乙氨基）硅烷；将所述粗制双（二乙氨基）硅烷经减压精馏分离低沸物，再经乙二胺四乙酸改性硅胶床层络合吸附去除金属离子，获得电子级双（二乙氨基）硅烷。本发明制备的电子级双（二乙氨基）硅烷纯度≥99.9995%，氯离子≤20ppb，金属杂质总量≤8ppb，且反应收率≥91%，综合能耗降低50%以上。

本发明涉及有机化学合成领域，公开了一种电子级三（二甲氨基）硅烷的生产工艺，包括以下步骤：S1：硅烷经分子筛脱水至水分≤1ppm，金属杂质≤5ppb；二甲胺气体通过‑30℃深冷捕集器去除重组分杂质；S2：在耐压反应釜中，利用催化剂催化硅烷与二甲胺反应：S3：①初级精馏：60℃减压蒸馏，压力≤10kPa，去除低沸物；②吸附纯化：经3A分子筛与活性炭复合床层，脱除微量水分及有机物，制备得到电子级三（二甲氨基）硅烷，本发明制备的产品纯度≥99.999%，金属杂质≤50ppb，氧含量≤20ppm，且收率提升至97%以上，能耗降低40%，适用于半导体ALD/CVD工艺前驱体。