원래 이름 기록: 江苏神州半导体科技有限公司

本发明公开了用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理方法及装置，涉及设备表面处理技术领域。方法包括：在阳极氧化处理前，执行铝合金表面图像采集，提取形貌特征集；配置表面预处理方案，执行铝合金表面的粗糙化处理；在配置电解液后，通过多阶段脉冲电源在电解液中执行铝合金表面的膜层生长协同调节，包括：输出第一协同参数和第二协同参数；根据第一协同参数、第二协同参数完成膜层生长调节后，执行高温强化封孔处理。解决了现有技术中半导体设备铝合金部件阳极氧化膜层在低温环境下易出现孔隙不均、膜层致密性不足的技术问题，达到了通过多阶段脉冲电源与实时传感协同寻优控制实现膜层均匀生长、提高膜层致密度与耐蚀性的技术效果。

本发明涉及射频电源控制技术领域，具体为一种射频电源充放电功率控制系统，包括：功率因数校正电路，其用于将市电转化为用于供能的工作电源，工作电源是稳定、纯净的高压直流电；射频信号控制模块，其包括信息监测单元、负载阻抗预测单元和射频信号控制单元；信息监测单元用于实时检测负载端的工作信息；负载阻抗预测单元用于根据工作信息预测下一时刻的预测负载阻抗；本发明通过计算反应腔内部温度、压强和射频电源功率之间的相互影响，相较于常见的仅根据反应腔内部温度、压强和射频电源功率对负载阻抗的单独影响来说，可以有效提高对未来负载阻抗变化的预测精度，以便于后期根据其调整工作电源，避免失配的情况出现。

本发明公开了等离子体发生器的高效散热方法及系统，涉及等离子体散热技术领域，该方法包括：在环形腔室内设置多个金属块，金属块外侧的径向散热槽沿周向均匀分布与液冷管道接触连接，并基于环形腔室和金属块分布进行散热监测及概率解析，识别散热需求分布；根据散热需求分布对液冷管道进行位置匹配及控制参数搜索，获得液冷管道的目标控制参数；按照液冷管道的离散分布关系进行协同优化，生成液冷散热控制指令，用于进行液冷管道参数控制。本发明解决了现有技术存在等离子体发生器环形腔室散热不均，散热效率低且稳定性差，难以精准匹配不同区域散热需求的技术问题，达到了实现对环形腔室的精准散热控制，提升了散热效率与稳定性的技术效果。

本发明公开了等离子体源软启动功率控制方法、系统及设备，涉及智能控制技术领域。方法包括：设定射频功率的初始额定值，作为启动时的参考功率；接收等离子体源点火控制器发出的工作模式，识别对应的功率控制配置类型；通过充放电电路产生渐升控制电压，驱动软启动引脚控制PWM脉冲宽度逐步增大，形成与工作模式匹配的激励输入信号；根据反馈功率与模式设定曲线进行比对，获得动态调节修正目标；基于动态调节修正目标进行功率调整控制，使得实际功率上升曲线与模式设定曲线一致。解决了现有技术中等离子体源在启动过程中功率上升控制不稳定，导致点火失败的技术问题，实现了等离子体源功率平滑启动、提高点火成功率及功率控制精度的技术效果。

本发明公开了远程等离子体源技术领域内的一种基于多工艺参数调控的远程等离子体源的点火方法，包括：根据不同气体类型，由点火调控参数获取方法获取优化后的气体压力、气体流量和腔室气体温度，及最小点火击穿电压；根据优化后的P、Q、T，调整反应腔体内的P、Q、T，并根据调节点火电压阈值；根据点火电压阈值进行点火，当点火成功后，调整P、Q、T到预设的工艺参数。该点火方法通过多参数协同调控与动态阈值设计，减少高压点火导致的设备损坏风险，大幅提高点火成功率和系统稳定性，显著提高了设备的适应性与可靠性。