中国电子科技集团公司第五十五研究所

本发明公开了一种适用于毫米波BGA封装模块测试的同轴结构，包括上金属面板与下金属面板；所述上金属面板上开设第二空气匹配腔，第二空气匹配腔上方开设第一固定腔；所述下金属面板上开设第三空气匹配腔，第三空气匹配腔下方开设第二固定腔；将弹簧探针上端设置在第一固定腔内，下端穿过第二和第三空气匹配腔后设置在第二固定腔中，弹簧探针用于匹配毫米波BGA封装模块；第一固定腔中灌注上环氧树脂胶层，上环氧树脂胶层包裹弹簧探针的上部针头及上端，第二固定腔中灌注下环氧树脂胶层，下环氧树脂胶层包裹弹簧探针的下部针头及下端。本发明能够实现BGA封装模块的多通道稳定测试。

本发明公开一种兼具低开启电压和耐大电流的氮化镓肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。该氮化镓肖特基二极管包括：至少两个二极管串联组成的二极管串以及并联二极管，并联二极管的阳极与二极管串中第一个二极管的阳极连接，并联二极管的阴极与二极管串中最后一个二极管的阴极连接，二极管串中各二极管的导通沟道长度相等且不超过并联二极管的导通沟道长度的1/N。本发明解决小结电容需求下常规GaN横向二极管无法提供足够大的过电流能力的技术问题，同时规避采用多个耐大电流的大结电容二极管串联设计导致开启电压升高的问题，实现兼具低开启电压和耐大电流的目的。

本发明公开了一种基于耦合电感复用的超宽带移相器，包括磁耦合移相网络以及串联在磁耦合移相网络两侧的且结构相同的两个串并联移相网络；串并联移相网络包括：两个单刀单掷开关、一个并联接地网络、一个串联网络；两个单刀单掷开关串联相接，公共连接点接入并联接地网络，然后整体与串联网络并联相接；磁耦合移相网络包括：由耦合电感、串联电容、并联网络和开关组成的可切换移相量的磁耦合全通网络结构。本发明移相器具备9个倍频程以上同时兼顾小型化、大角度移相量和高移相精度。