株式会社半导体能源研究所

提供一种特性良好的发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极、发光层及第一层，发光层位于第一电极与第二电极之间，第一层位于发光层与第二电极之间，第一层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及金属和金属化合物中的至少一个，包含第一有机化合物、第二有机化合物以及金属和金属化合物中的至少一个的第一混合膜的吸收光谱具有其吸收强度比包含第一有机化合物和第二有机化合物中的一个以及金属和金属化合物中的至少一个且与第一混合膜的厚度之差为10%以下的第二混合膜的吸收光谱大的波长区域。

提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括晶体管以及第一绝缘层。晶体管包括导电层及金属氧化物层。第一绝缘层位于导电层上。第一绝缘层具有与导电层的顶面接触的端部。第一绝缘层包括第二绝缘层及第二绝缘层上的第三绝缘层。金属氧化物层具有与导电层的顶面接触的端部、与第二绝缘层的侧面接触的端部、与第三绝缘层的侧面接触的端部及与第三绝缘层的顶面接触的端部。第三绝缘层具有含氢量比第二绝缘层多的区域。

提供一种同一个芯片中具备种类不同的存储器件的半导体装置。提高两个存储器件之间的数据传输速度。半导体装置包括第一层、第二层以及第三层。第一层包括多个非易失性第一存储元件在第一层的厚度方向上层叠的第一存储装置。第二层包括具有多个第二存储元件的第二存储装置，该第二存储元件包括具有氧化物半导体的晶体管。第三层包括控制第一存储装置的工作的第一驱动电路和控制第二存储装置的工作的第二驱动电路。第一层、第二层以及第三层具有互相重叠的部分。

本发明是一种半导体装置，包括：第一导电膜；第一绝缘膜；氧化物半导体膜；第二导电膜；第三导电膜；第二绝缘膜；第四导电膜；以及第五导电膜，其中氧化物半导体膜包括第一半导体膜和第二半导体膜，氧化物半导体膜包含第二半导体膜与第二导电膜接触的第一区域，在第一区域中第二半导体膜的厚度大于第一半导体膜的厚度，第四导电膜包含与第二导电膜接触的区域，并且在截面图中，第四导电膜不与第三导电膜重叠。