东京毅力科创株式会社

公开的等离子体处理装置具备腔室、该腔室内的基片支承部、高频电源、偏置电源和控制部。高频电源构成为为了从腔室内的气体生成等离子体而供给源高频电力。偏置电源构成为为了从等离子体向基片支承部上的基片引入离子而向基片支承部供给电偏置。控制部构成为控制高频电源和偏置电源，以使得在等离子体处理期间中连续且同时地供给源高频电力和电偏置，将源高频电力的功率电平设定为3kW以下，将偏置频率设定为小于400kHz，将电偏置的电压振幅设定为3kV以上。

本发明提供一种提高装置布局的自由度的技术。基片处理系统包括装载端口、多个磁悬浮式真空输送单元、基片处理系统、多个基片处理模块、装载锁定模块。装载端口配置于第一高度。多个磁悬浮式真空输送单元配置于第二高度，且能够在水平方向上连结。各基片处理模块能够与多个磁悬浮式真空输送单元中的任一者连接。装载锁定模块构成为能够将内部切换为大气环境或真空环境，能够在大气环境下在装载锁定模块与装载端口上的基片收纳容器之间输送基片，能够在铅垂方向上输送基片，并且能够在真空环境下在装载锁定模块与多个磁悬浮式真空输送单元中的任一者之间输送基片。

本发明涉及搬运装置以及排气方法，是对处理基板的处理装置搬入搬出基板的搬运装置，具有主体部，该主体部具有：搬运空间，设置搬运上述基板的搬运机器人；以及储存空间，与上述搬运空间连结，并支承上述基板，上述主体部具备：壳体，构成上述搬运空间，并具有壁部和与上述壁部连结的柱构件，上述壁部形成：连结供收容上述基板的容器载置的负载端口的前面、连结设置于上述处理装置的负载锁定的后面、及在装置纵深方向上连结上述前面与上述后面的一对侧面；以及排气通路，将供给到上述储存空间的气体排出，上述排气通路形成在上述壳体的上述柱构件内。

本发明涉及一种热处理装置。本发明提供一种能够减少缓冲件的变形的技术。本公开的一技术方案的热处理装置具备：筒状的反应管，其在下端具有开口；盖体，其封堵所述开口；以及圆环状的密封构件，其在所述反应管与所述盖体之间保持于所述盖体，所述盖体具有在比所述密封构件靠半径方向外侧的位置在所述反应管与所述盖体之间固定于所述盖体的环状的缓冲件，所述缓冲件包括在周向上被分割为多个的分割缓冲件。

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其使用多个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。等离子体处理装置具有：第一RF生成部，其生成第一RF脉冲信号，该信号在第一期间具有第一功率水平，在第二期间具有第二功率水平，在第三期间具有第三功率水平，第一期间为30μs以下；第二RF生成部，其生成第二RF脉冲信号，该信号的频率比第一RF脉冲信号的频率低，在第一期间具有第四功率水平，在第二期间和第三期间中的至少一者具有第五功率水平；第三RF生成部，其生成第三RF脉冲信号，该信号的频率比第二RF脉冲信号的频率低，在第二期间具有第六功率水平，并且在第一期间和第三期间中的至少一者具有第七功率水平。

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。接合装置包括第一保持部、第二保持部以及移动机构。所述第一保持部用于从所述第一基板的上方保持所述第一基板。所述第二保持部用于从所述第二基板的下方保持所述第二基板。所述移动机构用于使所述第一保持部与所述第二保持部的相对位置在基板交接位置与接合位置之间移动。所述控制装置使所述搬送装置在所述搬送装置从相对于所述接合装置的基板搬入搬出位置开始移动后，同所述第一保持部与所述第二保持部的所述相对位置返回到所述基板交接位置同时地到达所述基板搬入搬出位置、或在所述第一保持部与所述第二保持部的所述相对位置返回到所述基板交接位置之前到达所述基板搬入搬出位置。

本发明提供有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生的基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：供处理液流动的液配管；释放嘴，其释放经由液配管供给的处理液；阀机构，其调节液配管中的处理液的流动；和液检测传感器，其检测液配管中是否存在处理液。在阀机构工作以使液配管中的处理液位于比液配管的第一配管测量部位靠上游处的状态下，液检测传感器检测在位于第一测量点的第一配管测量部位是否存在处理液。

本发明提供部件更换装置。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内，在前端具有末端执行器，能够经开口部从处理装置运出使用后的消耗部件并将其收纳在部件收纳部内，将使用前的消耗部件从部件收纳部取出并经开口部运入处理装置内。移动机构具有动力源，使部件搬运装置移动。

本发明涉及基板输送装置的示教方法和基板处理装置。为了将基板适当地配置于基板处理装置的载置台而对输送臂的设定位置进行示教。对于本公开的示教方法，在具备驱动控制部的基板输送装置中，所述驱动控制部进行控制以使输送基板的输送臂移动到预先设定的设定位置，所述示教方法包括以下工序：针对3个基准方向分别实施包括以下工序的循环：沿着一个基准方向使载置台和保持于所述升降销的所述基板中的至少一者倾斜；向所述载置台交接所述基板；由所述输送臂接收在所述基准方向上滑动而到达载置面的缘部内周的所述基板；所述基板的位置检测；根据所述位置检测结果确定目标位置；以及将所述目标位置设定为所述设定位置。

一种用于形成FET的至少一部分的方法包括：接收衬底，该衬底包括外延生长的交替的硅层和硅锗层的纳米片；相对于这些硅层选择性地氧化这些硅锗层；将这些纳米片暴露于包含第一官能团和第二官能团的小分子物质。该方法进一步包括加热这些纳米片和该小分子物质以将该第一官能团附接到这些硅锗层并使该第二官能团气化，以及使用蚀刻气体选择性地各向同性地蚀刻这些硅层的至少一部分，其中该第一官能团选择性地阻滞对这些硅锗层的蚀刻。

将X射线引导到呈键合配置以供键合在一起的第一衬底和第二衬底。将X射线引导到第一衬底中的第一对准标记和第三对准标记，并引导到第二衬底中的第二对准标记和第四对准标记。在从第一对准标记和第二对准标记发射时检测荧光X射线，以基于第一对准标记和第二对准标记的第一检测到的未对准来测量第一衬底相对于第二衬底的第一未对准。使用X射线塔尔博特‑劳干涉测量法将X射线透射穿过第一衬底和第二衬底，以基于第三对准标记和第四对准标记的第二检测到的未对准来测量第一衬底和第二衬底的第二未对准。

在半导体晶圆形成含金属膜来抑制形成于凹部内的金属布线的形状不良并降低布线的电阻率。本公开的方法用于向形成于基板的凹部内填埋金属，所述方法包括以下工序：在形成有所述凹部的基板形成氮化金属膜，来向所述凹部内填埋氮化金属；以及接着在所述氮化金属膜的上表面侧形成所述氮化金属所包含的金属的金属膜，通过使氮原子从所述氮化金属膜侧向所述金属膜侧扩散来设为在所述凹部内填埋有含氮量下降了的所述金属的状态。