三星电子株式会社

冰箱包括：主体，具有储藏室；内部门，可旋转地与主体结合且具有门开口；外部门，可旋转地配备于内部门的前方以开闭门开口；饮水机，包括取水空间和操纵杆并借由操纵杆的手动操作向取水空间供水；以及自动供水装置，包括水桶安装空间、感测水桶是否安装在水桶安装空间的水桶传感器、感测水桶的水位的水位传感器以及当水桶被安装在水桶安装空间时自动向水桶供水以使水桶填充预定量的水的自动填充装置。取水空间和水桶安装空间布置在内部门的门开口处，以使在内部门被关闭的状态下接近取水空间和水桶安装空间。

一种用于管理与存储服务器相关联的一个或多个存储设备的电力状态的方法包括：从与存储服务器相关联的服务实体接收针对一个或多个主机应用中的每个主机应用生成的电力令牌。电力令牌指示与每个主机应用相对应的电力预期。存储服务器基于针对每个主机应用的电力令牌中指示的电力预期来动态地配置一个或多个电力层。每个电力层包括被配置为在期望电力状态下操作的一组存储设备。存储服务器基于所接收的电力令牌，将每个主机应用分配给所配置的电力层中的合适电力层，以在期望电力状态下执行。一些示例实施例提供了用于降低存储设备的功耗的动态电力管理策略。

本公开提供了存储器件、存储控制器以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：至少一个第一引脚；多个第二引脚；存储器接口电路，其被配置为从自所述至少一个第一引脚接收的至少一个控制信号获得控制信息，从自所述多个第二引脚接收的多个数据信号获得数据，以及通过解析包括在所述控制信息中的报头来从所述控制信息获得命令和奇偶校验信息；存储单元阵列，其被配置为存储所述数据；纠错码（ECC）解码器电路，其被配置为基于使用所述奇偶校验信息来纠正所述命令的错误，以生成纠错后的命令；以及控制电路，其被配置为在失败标志的复位状态下基于所述纠错后的命令来控制所述存储器件。

公开了一种持久性存储器设备。非易失性存储装置可以存储数据，并且易失性存储装置可以高速缓存数据。高速缓存控制器可以管理对非易失性存储装置和易失性存储装置中的数据的访问。持久性存储器设备可以包括用于表的存储装置，该表用于将数据的要从易失性存储装置复制到非易失性存储装置的脏页的第一数量与能量级别相关联。第二控制器可以被配置为至少部分地基于易失性存储装置中的数据的脏页的第二数量超过脏页的第一数量，将数据的脏页从易失性存储装置复制到非易失性存储装置。

本公开提供一种神经网络模型的计算方法、计算机系统和介质。计算方法包括：利用神经网络模型的当前层的注意力模块的输出隐藏状态，获得下一层的混合专家子层的各个专家模型被选择的预测概率并且根据预测概率确定候选专家模型；在当前层的混合专家子层以及下一层的注意力模块的计算过程中，将候选专家模型中的至少一个候选专家模型的专家模型参数从CPU设备的扩展内存预取至GPU设备的内存和/或CPU设备的本地内存；利用神经网络模型的下一层的注意力模块的输出隐藏状态，确定下一层的混合专家子层的参与计算的专家模型；在预取的候选专家模型的专家模型参数中选择相应的专家模型的专家模型参数，进行下一层的专家模型的计算。

提供存储器装置、操作存储器装置的方法和存储器系统。所述存储器装置包括：时钟分频器，从主机接收时钟信号，并且对时钟信号进行分频，以生成至少两个内部时钟信号；内部时钟选择器，从时钟分频器接收至少所述两个内部时钟信号，并且选择所述至少两个内部时钟信号中的一个作为用于对芯片选择信号的高电平或低电平中的一个进行采样的目标内部时钟信号；以及采样器，从主机接收芯片选择信号，从内部时钟选择器的接收目标内部时钟信号，并且使用目标内部时钟信号对芯片选择信号进行采样。

电池充电设备包括具有三阱结构的开关晶体管，该三阱结构具有电连接到第一阱区的体区端子。栅极驱动电路提供用于调节施加到开关晶体管的栅极的栅极电压的栅极控制器和用于选择性地将栅极连接到接地节点的栅极关断开关。体区选择器使用第一电压和第二电压生成第一检测信号，并调节供应给体区端子的电压。体区选择器响应于第一检测信号和延迟的第二检测信号将体区端子连接到供应第二电压的节点，并且响应于通过将第一检测信号反相获得的第三检测信号将体区端子连接到接地节点。

提供了一种通过逐步降低输入电压来生成输出电压的降压转换器。该降压转换器包括：输出电路，包括电感器和开关控制器，开关控制器被配置为基于脉宽调制信号控制电感器的电流；比较器，被配置为基于参考电压和反馈电压来输出误差电压；积分器电路，被配置为接收在电感器的端部处生成的感测电压并且基于感测电压来输出积分输出；加法器电路，被配置为接收误差电压并且基于误差电压、反馈电压和参考电压来输出加法输出；以及控制器，被配置为通过将积分输出与加法输出进行比较来输出脉宽调制信号。

本公开提供了一种通信方法、用户设备及卫星，该方法包括：接收系统信息，系统信息中包括第一公共TA相关的信息和第二公共TA相关的信息，其中，第一公共TA对应卫星和上行时间同步参考点之间的RTT，第二公共TA对应卫星和UE之间的RTT，其中，上行时间同步参考点在卫星和地面基站之间；基于第一公共TA相关的信息和第二公共TA相关的信息，确定TA；基于确定的TA，发送上行信号；其中，第一公共TA相关的信息包括第一公共TA、第一公共TA漂移和第一公共TA漂移方差；和第二公共TA相关的信息包括第二公共TA、第二公共TA漂移和第二公共TA漂移方差。本公开实施例可以应用于不具有GNSS的UE为其确定UE与服务卫星之间的RTT所对应的TA分量，能够达到节约UE成本的目的。

提供了一种通信系统中的装置及其执行的方法。该方法包括：接收与第一物理信道相关的第一信息，第一信息用于配置或指示调制和编码方案(MCS)表格，MCS表格中的至少一行包括星座图类型的信息；接收下行控制信息DCI，DCI指示MCS表格的一行；以及基于DCI指示的MCS表格的行中的星座图类型，发送或接收第一物理信道。

本公开提供了一种无线通信系统中的节点、用户设备及其执行的方法。一种由无线通信系统中的第八节点执行的方法，包括：向用户设备UE发送参考信号；从所述UE接收与所述第八节点中的第一小区相关的第一参考信号的第一测量结果，其中，所述第一小区是由所述UE选择的用于所述UE进行接入的小区；以及向所述UE发送与第二小区相关的同步信息和所述第二小区的标识信息中的至少一个，其中，所述第二小区是由所述第八节点基于与所述第二小区相关的第二测量结果确定的用于所述UE进行接入的小区，其中，所述第二测量结果是基于所述第一测量结果确定的。

本公开涉及5G通信系统或6G通信系统，用于支持超过诸如长期演进（LTE）的4G通信系统的更高的数据速率。本公开提供了一种用户设备和网络侧节点及其执行的方法及存储介质。一种由用户设备执行的方法包括：接收第一载波上的参考信号；基于与所述参考信号相关联的信息以及与第一载波和第二载波相关的至少一个信息确定第二载波相关联的功率控制参数；基于所述功率控制参数确定第二载波上的至少一种上行物理信道或物理信号的发送功率。

本申请关于一种由网络节点执行的方法以及网络节点，所述方法包括：基于每个多用户MU配对组的MU配对信息、以及针对每个MU配对组中的每个UE的关于物理下行控制信道PDCCH的第一信号与干扰加噪声比SINR，确定彼此间具有控制信道元素CCE资源冲突的MU配对组；针对每个MU配对组进行以下操作：基于包括MU配对组的MU配对信息、以及针对该MU配对组中的每个UE的第一SINR的第一信息，通过第一AI模型，调整针对该MU配对组中的每个UE的第一发射功率，并更新针对该MU配对组中的每个UE的第一SINR；根据针对每个UE的调整后的发射功率和更新后的SINR，确定可调度MU配对组以及针对每个可调度MU配对组中的每个UE的第二CCE资源占用信息和第二发射功率。

本公开涉及5G通信系统或6G通信系统，用于支持超过诸如长期演进（LTE）的4G通信系统的更高的数据速率。本公开的实施例公开了信号传输方法和设备。由无线通信系统中的用户设备执行的方法包括：获取与第一矩阵相关的第三信息，其中，第一矩阵的维度与第一信息的长度相关联，第一信息与需要上报的信息相关联；基于第三信息，确定第一矩阵；基于第一矩阵，对第一信息处理，得到第二信息，并发送与第二信息相关联的信号。由无线通信系统中的基站执行的方法包括：接收用户设备发送的第二信息；基于第一神经网络对第二信息进行处理，得到第四信息，其中，第四信息与第一信息相关联，第一信息与UE需要上报的信息相关联。本公开能够提高系统性能。

本公开涉及5G通信系统或6G通信系统，用于支持超过诸如长期演进(LTE)的4G通信系统的更高的数据速率。本公开提供了一种用于接收和发送信息的方法和设备，具体地，提供了一种无线通信系统中由用户设备UE执行的方法，该方法包括：接收用于随机接入的第一随机接入信息，第一随机接入信息指示用于发送物理随机接入信道PRACH的PRACH机会；接收指示用于测量的K1个参考信号的第一信息，K1是大于或等于1的整数；接收指示用于预测的K2个参考信号的第二信息，K2是大于或等于1的整数；在PRACH机会中的第一参考信号关联的第一PRACH机会上发送PRACH，其中，第一参考信号是基于K1个参考信号的测量确定的，并且第一参考信号是K1个参考信号和/或K2个参考信号中的参考信号。

一种半导体器件包括：位线，所述位线位于衬底上并且在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸；半导体图案，所述半导体图案位于所述位线上并且在垂直于所述衬底的所述上表面的方向上延伸；栅电极，所述栅电极位于所述半导体图案的侧表面上并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；存储节点接触，所述存储节点接触位于所述半导体图案的上表面上；上绝缘层，所述上绝缘层覆盖所述存储节点接触的侧表面；以及覆盖图案，所述覆盖图案位于所述上绝缘层与所述栅电极之间。所述上绝缘层位于所述覆盖图案的上表面上。所述半导体图案的所述上表面和所述覆盖图案的所述上表面均具有凹形轮廓。

提供了一种半导体存储器件。本公开的半导体存储器件包括：衬底；字线，堆叠在衬底上；沟道区，设置在字线之间；第一接触结构，连接到沟道区的一端；第二接触结构，连接到沟道区的另一端；位线，与第一接触结构接触；以及电极结构，与第二接触结构接触，其中，第一接触结构包括堆叠在沟道区和位线之间的多层的二维半导体材料层，并且第二接触结构包括堆叠在沟道区和电极结构之间的多层的二维半导体材料层。

一种半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案包括沿着垂直方向连接的第一部分和第二部分；导线，所述导线位于所述有源图案的下表面上并连接到所述有源图案，并且在与所述垂直方向相交的第一水平方向上延伸；第一栅极图案，所述第一栅极图案位于所述有源图案的所述第一部分的侧面上并且在与所述垂直方向和所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；第二栅极图案，所述第二栅极图案位于所述有源图案的所述第二部分的侧面上并与所述第一栅极图案间隔开，并且在所述第二水平方向上延伸；以及数据存储结构，所述数据存储结构位于所述有源图案的上表面上并且连接到所述有源图案。

一种半导体器件包括有源结构、栅极结构、位线结构、接触插塞结构以及电容器。所述有源结构包括有源图案和外延图案，所述有源图案位于衬底上并且在第一方向上延伸，所述外延图案位于所述有源图案在所述第一方向上的每个相对端部的侧壁上。所述外延图案的最下面的表面与所述有源图案的下表面基本上共面，并且所述外延图案包括单晶半导体材料。所述栅极结构设置在延伸穿过所述有源结构的上部的部分的凹陷中。所述位线结构设置在所述有源结构在所述第一方向上的中心部分上。所述接触插塞结构设置在所述有源结构的每个相对端部上。所述电容器设置在所述接触插塞结构上。

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和外围区域，单元区域包括单元有源区域；多个位线结构，在第一水平方向上延伸；存储接触件，连接到单元有源区域；第一存储垫，连接到存储接触件；数据存储图案，连接到第一存储垫；外围栅极结构，设置在外围区域上；以及外围接触插塞，在外围栅极结构的两侧，并且连接到基底，第一存储垫包括存储接触件上的第一硅化物膜和第一硅化物膜上的第一导电膜，外围接触插塞包括在竖直方向上延伸到基底中的凹陷、在凹陷的底侧上的第二硅化物膜、沿着凹陷的侧壁延伸的第二导电膜以及填充凹陷的内部的第三导电膜，并且在第二水平方向上第一导电膜的宽度与第二导电膜的宽度不同。