浙江泰镒新材料科技有限公司

本申请实施例公开了一种AgWC复合材料及其制备方法、电接触材料、控制器，该AgWC复合材料包括银基体、分布于所述银基体内的碳化钨颗粒和所述银基体和所述碳化钨颗粒之间的过渡层，所述过渡层包括镍钴固溶体。本申请通在银基体和碳化钨颗粒之间形成过渡层，可以将高能量的Ag/WC界面转化为低能量的Ag/Ni‑Co和Ni‑Co/WC界面，可以改善银基体与碳化钨颗粒之间的润湿性，提升银基体与碳化钨之间的界面结合强度。

本申请公开了一种含增强相的银基复合粉体及其制备方法、及电接触材料。含增强相的银基复合粉体包括球形度大于0.85的第一球形度颗粒、球形度为0.6~0.85的第二球形度颗粒和球形度小于0.6的第三球形度颗粒；含增强相的银基复合粉体中，第一球形度颗粒的数量占比为W1，第二球形度颗粒的数量占比为W2，第三球形度颗粒的数量占比为W3，其中，4.56≥(W1+W2)/W3≥3.00。由于第一球形度颗粒可以用于承受电弧冲击，而第二球形度颗粒可以用于平衡导电与抗侵蚀需求，含增强相的银基复合粉体中高含量的第一球形度颗粒和第二球形度颗粒可以使得使用其作为原料制备得到的电接触材料整体的耐电弧侵蚀性能得到改善。

本申请实施例提供一种石墨烯铜复合材料及其制备方法。石墨烯铜复合材料包括铜基体以及附着于所述铜基体表面的石墨烯薄膜，石墨烯薄膜中的单晶石墨烯尺寸L与石墨烯铜复合材料的表面粗糙度RMS的比值L/RMS满足：444≤L/RMS≤11000。本申请提供的石墨烯铜复合材料，其中的石墨烯薄膜具有较大的单晶石墨烯尺寸，从而可以减少石墨烯薄膜中的晶界数量，提升石墨烯薄膜的电学性能，并且，石墨烯铜复合材料整体的表面粗糙度RMS较低，表面较为平滑，说明石墨烯薄膜以平铺的方式设置于铜基体上，二者贴合紧密，有效减少了石墨烯薄膜与铜基体之间的界面间隙，从而可以避免铜基体被氧化，提升石墨烯铜复合材料的抗氧化性能。