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本发明公开了一种JFET器件，器件单元结构包括：形成于沟槽的侧面和底部表面处的栅极区，源区形成于沟槽之间的平台区的顶部表面且分为宽度等于平台区宽度的第一源区和宽度小于平台区宽度的第二源区，在平台区的长度方向上第一和第二源区相接触，源极接触孔位于第一源区的顶部，且源极接触孔和第一源区的部分或全部区域接触；源极接触孔顶部连接到源极。漂移区到源极之间形成有由第一源区底部的沟道区、第一源区到源极接触孔的第一导通路径以及由第二源区底部的沟道区、第二源区、第一源区到源极接触孔的第二导通路径；第二导通路径中具有从第二源区到第一源区的路径形成的第一内部源极电阻。本发明能实现器件电流的自适应负反馈平衡。

本发明公开了一种JFET器件，栅极引出结构形成区中形成有和单元沟槽相连通的栅引出沟槽。在栅引出沟槽的底部形成有第二导电类型掺杂的栅极连接区，各单元沟槽底部的栅极区都和栅极连接区接触连接在一起且栅极区的表面形成有金属硅化物。在栅极引出结构形成区中的栅接触孔底部形成有和栅接触孔相接触的阻挡层；阻挡层和栅极连接区之间形成第一PN结。栅接触孔的顶部连接到栅极。器件关断时，栅极电压使第一PN结正偏并使栅极电压通过栅极连接区传输到栅极区。器件导通时，栅极电压使第一PN结反偏，以阻止栅极区的电荷泄放到栅极以及阻止栅极电压的波动传输到栅极区。